产品信息

外延是通过化学气相沉积的方式在抛光片上生长一层或多层,且在掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构等产品参数都符合特定器件要求的新硅单晶层,具极佳的均匀性及极低的缺陷密度。

 

 

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产品参数

直径: 150/200/300 mm
外延掺值: P型-硼;N型-磷
外延层厚度: 1-150 um
外延层电阻率: 0.03-1000 ohm-cm
外延层数: 单层或多层
晶向: (111), (100)

 

 


 

 

工艺介绍 

产品具有卓越的竞争力,合晶是国内少数具备从晶体成长、硅片成型到外延生长等全流程生产能力的半导体硅外延片制造商。凭借在各个制程环节的丰富生产经验,以及在生产流程的精细化质量控制能力,合晶為客戶量身订制出一体化的客制硅外延片,实现外延层和衬底几何形貌的有效匹配,达到不同规格产品需求的一体化硅外延片。


制程工序包含外延生长、外延片清洗、外延片检测及包装等。

 

 

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外延生长

利用化学气相沉积的方式在抛光片上生长一层或多层指定厚度的单晶层,透过掺入P型硼或N型磷的气体来控制电阻率,并利用反应温度、外延气体流速、中心及边缘的温度梯度的工艺调整,来调节電阻率/厚度均勻度、过渡区宽度、颗粒、缺陷(层错、滑移线、雾等)等关键参数的有效控制,实现了最优的外延层质量,满足客户制造工艺的要求。

 

 

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外延片清洗

以RCA制程进行硅片之最终清洗,目的为去除硅片表面的各种污染物,例如:表面微尘颗粒、有机物、金属等各种可能的污染。

 

 

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外延片检测

外延片以设备量测其电阻率、厚度、平坦度、翘曲度等物理特性值后进行最终清洗,再以高精密度的设备检测其表面微尘颗粒、有机物、金属等缺陷项目,确保外延层质量符合客户需求。

 

 

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包装

以硅片盒盛装硅片后,经由包装制程于硅片盒外包覆PE袋及铝箔袋,使其在保存及运送途中,不会被环境、外力等因素破坏质量。

 

 


 

 

产品应用

本公司的硅外延片具备耐高压、低导通电阻等特性,可使客户制造的器件运行高度稳定,主要用于制备MOSFET、IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)、晶体管等功率器件和CMOS图像传感器(CMOS Image sensor, CIS)、電源管理(power management IC,PMIC)、積成電路等芯片,被广泛应用于汽车、通信、电力、工业、消费电子、高端装备等领域。

 

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